孙阳庭教授受邀参加华为海思学术沙龙

2024年12月28日，孙阳庭副教授应邀参加华为海思半年一度的学术沙龙，并做了题为《电子金属的腐蚀与电化学迁移失效》的技术报告，与海思一百多名技术专家展开了深入交流。

电子材料的可靠性对于现代电子行业至关重要。随着芯片和集成电路的不断小型化和高性能化，在半导体先进制造、先进封装工艺中以及在电子产品服役过程中，焊点、凸点（Bump）等关键连接部位的金属材料面临着更加复杂严峻的腐蚀和电化学迁移失效问题。这些问题涉及到铜、银、锡、镍、铝等金属，表现为选择性溶解、反常电偶腐蚀、枝晶生长短路等不同形式。深入研究这些金属材料的腐蚀机制和电化学迁移现象，对于提升半导体封装技术的可靠性和延长电子产品的使用寿命具有重要意义。

随着电子器件向高集成与高性能方向发展，在半导体先进制程和先进封装的湿工艺中出现了更加多样且复杂的腐蚀问题，显著影响着产品的良率和可靠性。本报告将从基本的热力学和动力学出发，对金属腐蚀的电化学原理做一个简介。在此基础上，结合复旦大学腐蚀实验室在相关领域的研究案例，介绍电子材料与器件在制造和服役场景下的典型腐蚀现象，并从单一纯金属、多金属以及合金等三种系统出发，由浅入深地讨论电子金属的腐蚀行为、机理和主要影响因素。